典型关断延迟时间 48 ns

典型接通延迟时间 22 ns

典型栅极电荷@Vgs 49 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds 2456 pF V @ 25

安装类型 通孔

宽度 4.5mm

尺寸 9.9 x 4.5 x 9.2mm

引脚数目 3

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 312.5 W

最大栅源电压 ±30 V

最大漏源电压 500 V

最大漏源电阻值 0.22 Ω

最大连续漏极电流 22 A

最高工作温度 +150 °C

每片芯片元件数目 1

类别 功率 MOSFET

通道模式 增强

通道类型 N

配置 单

长度 9.9mm

高度 9.2mm