典型接通延迟时间 20 ns

典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 25 V

安装类型 通孔

宽度 4.6mm

尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm

引脚数目 3

最低工作温度 -65 °C

最大功率耗散 35 W

最大栅源电压 ±30 V

最大漏源电压 600 V

最大漏源电阻值 0.45 Ω

最大连续漏极电流 11 A

最高工作温度 +150 °C

每片芯片元件数目 1

类别 功率 MOSFET

通道模式 增强

通道类型 N

长度 10.4mm

高度 16.4mm