典型关断延迟时间 46 ns

典型接通延迟时间 187 ns

典型栅极电荷@Vgs 175 nC @ V@ 0 → 20

典型输入电容值@Vds 3200 pF @ V@ 25

安装类型 通孔

宽度 4.82mm

尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm

引脚数目 3

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 285 W

最大栅源电压 ±20 V

最大漏源电压 55 V

最大漏源电阻值 8 mΩ

最大连续漏极电流 75 A

最高工作温度 +175 °C

每片芯片元件数目 1

类别 功率 MOSFET

通道模式 增强

通道类型 N

配置 单

长度 15.87mm

高度 20.82mm