典型关断延迟时间 100 ns

典型接通延迟时间 17 ns

典型栅极电荷@Vgs 40 nC@ 10 V

典型输入电容值@Vds 1250 pF@ 25 V

安装类型 通孔

宽度 5mm

尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm

引脚数目 3

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 227 W

最大栅源电压 ±25 V

最大漏源电压 150 V

最大漏源电阻值 0.09 Ω

最大连续漏极电流 132 A

最高工作温度 +175 °C

每片芯片元件数目 1

类别 功率 MOSFET

通道模式 增强

通道类型 N

配置 单

长度 15.8mm

高度 20.1mm